零次刻蚀菜单优化.docx

摘要：众所周知，随着集成电路的发展，芯片尺寸变得愈来愈小，也就要求制造工艺的精度变得更加微小。之后的层层图形光刻，曝光，刻蚀等，都要有一个基准点，作为对位的刻蚀标记，ASML的一般有两个对准标记，Nikon的一般是有一个或多个形貌标记，而这个对准的刻蚀标记就是零次刻蚀所工艺的对象。

而本文则专注于零次刻蚀工艺，零次刻蚀工艺作为在线大部分产品的起点，是后续各层次曝光对位的基石，其重要性不言而喻。在公司机器设备LAM490上着重研究探寻如何能够优化零次刻蚀工艺，使其产品良率大大提高，以此为公司节约人力、物力和财力。采用的试验方法是ECCP验证方法，具体流程是：单项→STR（分片）→TECN（扩批）→ECN逐个进行测试，直到其通过产品质量部门的认可，方可申请作为标准菜单模式，供产线直接使用。

通过在机器LAM490上的参数调整，实验探索，不断改进工艺参数和条件，挖掘优化LAM490所能达到的更高良品率。

关键词：零次刻蚀、刻蚀工艺、菜单参数、LAM490

目录

摘要

Abstact

1、绪论-1

1.1  引言-1

1.2  腐蚀工艺基本概念-1

1.2.1  湿法腐蚀-1

1.2.2  干法腐蚀-5

1.3  腐蚀的基本术语-7

1.3.1  腐蚀速率（E/R）-7

1.3.2  腐蚀均匀性-8

1.3.3  选择比-9

1.3.4  方向性-10

1.3.5  负载效应（micro loading）-10

1.3.6  过腐蚀-10

1.3.7  残留物-11

1.4  公司oxide 刻蚀设备和典型工艺层次-12

1.4.1  Contact Etch（接触孔）-13

1.4.2  Via Etch-14

1.4.3  Hard Mask Etch-15

1.4.4  Spacer Etch-16

1.4.5  平坦化Etch-17

1.4.6  PAD腐蚀-19

2、零次刻蚀菜单优化过程-20

2.1  引出问题-20

2.2  存在不足-20

2.3  设备现状-21

2.4  计划实施-23

2.4.1  单项速率对比数据-23

2.4.2  更改描述：新菜单参数拉偏-24

2.4.3  MARK形貌对比-26

2.4.4  验证计划（ECCP）-27

2.4.5  曝光结果：ASML形貌片曝光信号-28

2.4.6  曝光信号：曝光信号对比NIKON-28

2.5  更改影响和风险控制-29

2.6  小结-29

3、刻蚀工艺菜单认证规范-30

3.1  标题内涵-30

3.2  主要目的-30

3.3  适用范围-30

3.4  参考文件-30

（1）《设备菜单匹配管理规范》相关材料-30

（2）工艺菜单与设备变更后的认证标准文件-30

3.5  术语定义-30

3.6  责任-31

3.7  内容-31

3.7.1  分片方案-31

3.7.2  检验项目-31

3.7.3  认证规则-32

3.7.4  单项实验及产品验证通过的判断-32

3.7.5  新化学试剂和特气试用的单项工艺认证-32

4、结论-32

参 考 文 献-34

致 谢-36