氮化镓MOS管的漏电流输运机制研究_微电子学.doc

对于GaN材料至今仍然有待解决的问题就是氮化镓衬底单晶和异质外延缺陷密度非常高，但是器件已经达到可以实用化的水平．GaN材料在LED技术里的应用也已经达到了十分成熟的技术水平...

分类：SCI论文 - 字数：13834

光照对氮化镓MOS管的电容特性影响_微电子学.rar

GaN晶体具有三种结构：六角纤锌矿2H型结构(α相)、立方闪锌矿3C型结构(β相)和岩盐矿结构[1]．纤锌矿型结构具有六方对称性，在常温常压下热力学性质很稳定，是GaN中常见的结晶形式，...

分类：科技学院 - 字数：14347

III族氮化物具有三种不同的晶体结构，它们分别是：纤锌矿(六方相)、闪锌矿(立方相)和岩盐矿(立方相)．纤锌矿和闪锌矿结构基本相似，每个(V)族原子都和最近的4个V(III)族共同构成四面...

分类：科技学院 - 字数：14221

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