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2022年03月14日 更新 “双栅论文”相关信息

纳米双栅MOSFET电学特性研究_微电子学.rar

如图1.5所示，在0.13μm技术节点，己经开始采用硅化物技术，在90—65—45nm技术节点上，应变硅技术和超浅结技术已经开始投入使用，到45—32nm节点上，已成功地研制了高介电常数(high-k...
分类：科技学院 - 字数：17233
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