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2022年03月13日 更新 “晶界论文”相关信息

晶界对于过渡金属原子吸附的增强.doc

利用CVD方法生长单层BN时将不可避免地引入点缺陷和杂质，另外研究者也可以有意地引入缺陷和杂质来调控材料的特性。因此考虑到CVD生长的单层BN中，4|8GB比5|7GB更容易形成 [22]，我们在...
分类：工业工程 - 字数：7986
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