基于SVPWM的MOSFET逆变器控制技术研究.doc

SVPWM能够使逆变器的输出线到达最大输出电压，与常规SPWM方法相比有所增长，约15.47%。SVPWM的本质是一种基于三相正弦波为调制波规则的零序分量的空间矢量进行采样失真的SPWM低开关损...

分类：工程科技 - 字数：13781

纳米级MOSFET逻辑门电路的漏电功耗计算.docx

从功耗来源入手研究，无疑是对于功耗分析最为有效的办法和手段。根据COMS电路的物理结构和工作状态，CMOS电路的功耗可分为两大部分：动态功耗（包括开关功耗、短路功耗）、静态功...

分类：工业大学 - 字数：13057

如图1.5所示，在0.13μm技术节点，己经开始采用硅化物技术，在90—65—45nm技术节点上，应变硅技术和超浅结技术已经开始投入使用，到45—32nm节点上，已成功地研制了高介电常数(high-k...

分类：科技学院 - 字数：17233

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