基于0.18μm CMOS环形工艺压控振荡器设计.doc

摘 要：锁相环技术不断的改进和趋于成熟，被运用于各项电子和通讯设备中，压控振荡器作为其中的重要模块，品质因素将直接影响锁相环的性能。本文基于 0.18μm CMOS 工艺，简单介绍了压控振荡器的原理，压控振荡器的各项性能指标，详细叙述了环形压控

振荡器地三个性能条件，设计出了一种输出频率调谐范围较大的环形压控振荡器(VCO)。在本设计中，采用交叉耦合延迟单元的结构,形成了首尾相接的 4 级差分延时单元。在使

Cadence 公司的软件进行仿真分析，形成测试电路。控制电压范围 1-2.5V，输出频率范围是 1.50MHz-2.85GHz。在此频率范围内，环形振荡器完成满摆幅的工作，输出频率和控制电压呈线性变化。

关键词：环形压控振荡器，四级延时单元，相位噪声

目录

摘要

Abstract

1绪论 .5

2振荡器简介 .5

2.1压控振荡器特性曲线 .6

2.2环形压控振荡器原理 .7

2.3压控振荡器各项性能指标 .9

2.4LC 振荡器对比 .10

3环形压控振荡器电路设计 11

3.1振荡器级数的选取 11

3.2偏置电路设计 12

3.3振荡器电路设计 13

4仿真结果 16

4.1系统电路仿真 16

4.2时域波形 18

4.3性能仿真 19

结论 21

参考文献 22

致谢 23